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GaN on SiC

具有宽带、高效率、高增益的优异特性
能够有效降低5G基站热功耗

GaAs PA
独特的镇流电阻与偏置电容组合
能够实现更大的功率回退,同时获得更高的效率
GaAs LNA

超宽带、超低噪声放大器
同时具有高线性度以及超低噪声等特性

GaN on Si

连通世界 无限可能