GaN-on-Si

随着电力电子技术的快速发展,高频、高效、小型化的电力转换需求日益增 加。SDSX 推出的新一代 GaN-on-Si 高频高效电力电子器件,以显著的性 能优势和优异的性价比,在电源管理领域树立了新的标杆。凭借 10 倍于传 统 Si 功率器件的开关频率和高效低损耗特性,该系列产品为充电器、电源 适配器、车载充电器和数据中心等领域提供了理想解决方案。
开关频率高达 5 MHz 以上相比 Si 器件提升 10 倍,有效提升充电速度, 支持快充和高效功率转换需求。开关频率的提升减少了无源器件的体积,使电源整体尺寸缩小 1/3 以上。
在相同工作频率下,开关损耗降低 3%,使得整体电源效率提升 3 个百 分点,特别是在高频条件下,GaN-on-Si 表现尤为出色。优化的热管理特性 确保在高功率密度条件下长期稳定运行。
采用 GaN-on-Si 高电子迁移率晶体管,兼具饱和电子漂移速度和高击 穿场强,确保在高频运行时的可靠性和稳定性。
相较纯 GaN 基材,GaN-on-Si 在成本上更具优势,进一步提升了产品 的市场适应性。