芯片模组研发能力
单片集成芯片
公司提供基于 Si RF/ GaAs/ GaN 工艺的射频芯片、模组产品和整体解决方案，产品包括功功率放大器、低噪声放大器、驱动放大器、射频开关、增益模块、功分器、均衡器、固定衰减器、数控衰减器、数控移相器、多功能芯片等。
分立器件
GaN 功率管器件,功率等级覆盖 2W-2000W。
高集成模块
TCV 陶瓷封装技术,高精度、高可靠性,模块整版级联精准仿真, 免调试 SMT 工艺,生产效率高,使模块具备更高集成、更优性能、更低成本 的优势。
